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我科学家在类脑芯片领域取得重要进展

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本报合肥10月17日电（记者丁一鸣）日前，中国科学技术大学郭光灿院士团队孙方稳课题组和国家同步辐射实验室/核科学技术学院邹崇文课题组合作，制备了基于二氧化钒相变薄膜的类脑神经元器件，并利用金刚石中氮-空位色心作为固态自旋量子传感器探测了神经元突触在外部刺激下的动态连接，展示了类脑神经系统中多通道信号

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